IPDD60R050G7XTMA1

IPDD60R050G7XTMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPDD60R050G7XTMA1
LIXINC Part # IPDD60R050G7XTMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 600V 47A HDSOP-10
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPDD60R050G7XTMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPDD60R050G7XTMA1 Технические характеристики

номер части:IPDD60R050G7XTMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:CoolMOS™ G7
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):600 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:47A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:50mOhm @ 15.9A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 800µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:68 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:2670 pF @ 400 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):278W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-HDSOP-10-1
упаковка / чехол:10-PowerSOP Module

Продукты, которые могут вас заинтересовать

NTB18N06T4 NTB18N06T4 MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK 19635

Подробнее о заказе

BSO203PH BSO203PH BSO203 - 20V-250V P-CHANNEL POWE 3423

Подробнее о заказе

FQT4N20LTF FQT4N20LTF MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4 2736

Подробнее о заказе

FDMS8020 FDMS8020 MOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN 3973

Подробнее о заказе

SIS413DN-T1-GE3 SIS413DN-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8 76954

Подробнее о заказе

FDS3570 FDS3570 MOSFET N-CH 80V 9A 8SOIC 280108

Подробнее о заказе

TK4R3E06PL,S1X TK4R3E06PL,S1X MOSFET N-CH 60V 80A TO220 2216

Подробнее о заказе

TSM130NB06LCR TSM130NB06LCR MOSFET N-CH 60V 10A/51A 8PDFN 902

Подробнее о заказе

IRFR7446TRPBF IRFR7446TRPBF MOSFET N-CH 40V 56A DPAK 928

Подробнее о заказе

STF16NF25 STF16NF25 MOSFET N-CH 250V 14A TO220FP 1919

Подробнее о заказе

LSIC1MO120E0080 LSIC1MO120E0080 SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3 1784

Подробнее о заказе

CPH6614-TL-E CPH6614-TL-E P-CHANNEL SILICON MOSFET 84885

Подробнее о заказе

NTD20N06L NTD20N06L MOSFET N-CH 60V 20A DPAK 2313

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 11651 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$10.14000$10.14
1700$5.97131$10151.227

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top