TK4R3E06PL,S1X | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK4R3E06PL,S1X

TK4R3E06PL,S1X

Увеличить

Только для справки

номер части	TK4R3E06PL,S1X
LIXINC Part #	TK4R3E06PL,S1X
Производитель	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 60V 80A TO220
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	TK4R3E06PL,S1X След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

TK4R3E06PL,S1X Технические характеристики

номер части:	TK4R3E06PL,S1X
Бренд:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ряд:	U-MOSIX-H
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	80A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	7.2mOhm @ 15A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.5V @ 500µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	48.2 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	3280 pF @ 30 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	87W (Tc)
Рабочая Температура:	175°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	TO-220
упаковка / чехол:	TO-220-3

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015