Только для справки
| номер части | FQB10N20CTM |
| LIXINC Part # | FQB10N20CTM |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | FQB10N20CTM След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | FQB10N20CTM |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | QFET® |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Obsolete |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 200 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 9.5A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 360mOhm @ 4.75A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 26 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±30V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 510 pF @ 25 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 72W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | D²PAK (TO-263AB) |
| упаковка / чехол: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| IPB22N03S4L-15ATMA1 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 8969 Подробнее о заказе |
|
| SQ4483BEEY-T1_GE3 | MOSFET P-CHANNEL 30V 22A 8SOIC | 3460 Подробнее о заказе |
|
| FDU6N50TU | MOSFET N-CH 500V 6A I-PAK | 10537 Подробнее о заказе |
|
| IPD50N06S2L13ATMA2 | MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31 | 3338 Подробнее о заказе |
|
| SIRA62DP-T1-RE3 | MOSFET N-CH 30V 51.4A/80A PPAK | 3332 Подробнее о заказе |
|
| STP100N8F6 | MOSFET N-CH 80V 100A TO220 | 868 Подробнее о заказе |
|
| IRFBG20PBF | MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB | 938 Подробнее о заказе |
|
| RSF015N06TL | MOSFET N-CH 60V 1.5A TUMT3 | 2433 Подробнее о заказе |
|
| IRFS4229TRLPBF | MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK | 806 Подробнее о заказе |
|
| NTD80N02-1G | MOSFET N-CH 24V 80A IPAK | 59591 Подробнее о заказе |
|
| IPT65R195G7XTMA1 | MOSFET N-CH 650V 14A 8HSOF | 2681 Подробнее о заказе |
|
| GKI03080 | MOSFET N-CH 30V 12A 8DFN | 816 Подробнее о заказе |
|
| FDMT80060DC | MOSFET N-CH 60V 43A/292A 8DUAL | 939 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10964 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.37000 | $0.37 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.