Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPD50N06S2L13ATMA2

IPD50N06S2L13ATMA2
Увеличить

Только для справки

номер части IPD50N06S2L13ATMA2
LIXINC Part # IPD50N06S2L13ATMA2
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPD50N06S2L13ATMA2 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPD50N06S2L13ATMA2 Технические характеристики

номер части:IPD50N06S2L13ATMA2
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):55 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:50A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:12.7mOhm @ 34A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2V @ 80µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:69 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:1800 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):136W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO252-3-11
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD50N06S2L13ATMA2 Документы

if IPD50N06S2L13ATMA2 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

SIRA62DP-T1-RE3 SIRA62DP-T1-RE3 MOSFET N-CH 30V 51.4A/80A PPAK 3379

Подробнее о заказе
STP100N8F6 STP100N8F6 MOSFET N-CH 80V 100A TO220 893

Подробнее о заказе
IRFBG20PBF IRFBG20PBF MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB 814

Подробнее о заказе
RSF015N06TL RSF015N06TL MOSFET N-CH 60V 1.5A TUMT3 2534

Подробнее о заказе
IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK 827

Подробнее о заказе
NTD80N02-1G NTD80N02-1G MOSFET N-CH 24V 80A IPAK 59562

Подробнее о заказе
IPT65R195G7XTMA1 IPT65R195G7XTMA1 MOSFET N-CH 650V 14A 8HSOF 2590

Подробнее о заказе
GKI03080 GKI03080 MOSFET N-CH 30V 12A 8DFN 935

Подробнее о заказе
FDMT80060DC FDMT80060DC MOSFET N-CH 60V 43A/292A 8DUAL 843

Подробнее о заказе
IRFU120PBF IRFU120PBF MOSFET N-CH 100V 7.7A TO251AA 2143

Подробнее о заказе
DMN2009LSS-13 DMN2009LSS-13 MOSFET N-CH 20V 12A 8SOP 882

Подробнее о заказе
SPS02N60C3BKMA1 SPS02N60C3BKMA1 MOSFET N-CH 600V 1.8A TO251-31 41365

Подробнее о заказе
BSP130,115 BSP130,115 MOSFET N-CH 300V 350MA SOT223 24894

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 13444 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.44000$1.44
2500$0.58702$1467.55

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top