EPC is the leader in enhancement mode gallium nitride based power management devices. EPC was the first to introduce enhancement-mode gallium-nitride-on-silicon (eGaN®) FETs as power MOSFET replacements in applications such as DC-DC converters, wireless power transfer, envelope tracking, RF transmission, power inverters, remote sensing technology (LiDAR), and class-D audio amplifiers with device performance many times greater than the best silicon power MOSFETs.
EPC2203

EPC2203

EPC

Описание

GANFET N-CH 80V 1.7A DIE

11 343

Подробнее о заказе

EPC2219

EPC2219

EPC

Описание

TRANS GAN 65V AECQ101 3.3OHM DIE

10 806

Подробнее о заказе

EPC2012C

EPC2012C

EPC

Описание

GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE

30 075

Подробнее о заказе

EPC2015C

EPC2015C

EPC

Описание

GANFET N-CH 40V 53A DIE

16 964

Подробнее о заказе

EPC2010C

EPC2010C

EPC

Описание

GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE

12 208

Подробнее о заказе

EPC2022

EPC2022

EPC

Описание

GANFET N-CH 100V 60A DIE

11 031

Подробнее о заказе

EPC2014C

EPC2014C

EPC

Описание

GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE

29 558

Подробнее о заказе

EPC2020

EPC2020

EPC

Описание

GANFET N-CH 60V 90A DIE

16 438

Подробнее о заказе

EPC8009

EPC8009

EPC

Описание

GANFET N-CH 65V 2.7A DIE

13 105

Подробнее о заказе

EPC2039

EPC2039

EPC

Описание

GANFET N-CH 80V 6.8A DIE

90 037

Подробнее о заказе

Top