MT47H512M4THN-25E:M | Micron Technology MT47H512M4THN-25E:M | MT47H512M4THN-25E:M Inventory, Best Pricing

MT47H512M4THN-25E:M

Увеличить

Только для справки

номер части	MT47H512M4THN-25E:M
LIXINC Part #	MT47H512M4THN-25E:M
Производитель	Micron Technology
Категория	интегральные схемы › Память
Описание	IC DRAM 2GBIT PARALLEL 63FBGA
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	MT47H512M4THN-25E:M След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

MT47H512M4THN-25E:M Технические характеристики

номер части:	MT47H512M4THN-25E:M
Бренд:	Micron Technology
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	интегральные схемы
Подкатегория:	Память
Производитель:	Micron Technology
ряд:	-
упаковка:	Tray
статус детали:	Obsolete
тип памяти:	Volatile
формат памяти:	DRAM
технологии:	SDRAM - DDR2
объем памяти:	2Gb (512M x 4)
интерфейс памяти:	Parallel
тактовая частота:	400 MHz
время цикла записи - слово, страница:	15ns
время доступа:	400 ps
напряжение - питание:	1.7V ~ 1.9V
Рабочая Температура:	0°C ~ 85°C (TC)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	63-TFBGA
пакет устройств поставщика:	63-FBGA (8x10)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015