MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E | Micron Technology MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E | MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E Inventory, Best Pricing

MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E

Увеличить

Только для справки

номер части	MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E
LIXINC Part #	MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E
Производитель	Micron Technology
Категория	интегральные схемы › Память
Описание	IC DRAM 32GBIT 2133MHZ FBGA
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 22 - Jan 26 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E Технические характеристики

номер части:	MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E
Бренд:	Micron Technology
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	интегральные схемы
Подкатегория:	Память
Производитель:	Micron Technology
ряд:	-
упаковка:	Box
статус детали:	Obsolete
тип памяти:	Volatile
формат памяти:	DRAM
технологии:	SDRAM - Mobile LPDDR4
объем памяти:	32Gb (512M x 64)
интерфейс памяти:	-
тактовая частота:	2.133 GHz
время цикла записи - слово, страница:	-
время доступа:	-
напряжение - питание:	1.1V
Рабочая Температура:	-30°C ~ 105°C (TC)
тип крепления:	-
упаковка / чехол:	-
пакет устройств поставщика:	-

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015