NAND256R3A2BZA6E | Micron Technology NAND256R3A2BZA6E | NAND256R3A2BZA6E Inventory, Best Pricing

NAND256R3A2BZA6E

Увеличить

Только для справки

номер части	NAND256R3A2BZA6E
LIXINC Part #	NAND256R3A2BZA6E
Производитель	Micron Technology
Категория	интегральные схемы › Память
Описание	IC FLSH 256MBIT PARALLEL 55VFBGA
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	NAND256R3A2BZA6E След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

NAND256R3A2BZA6E Технические характеристики

номер части:	NAND256R3A2BZA6E
Бренд:	Micron Technology
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	интегральные схемы
Подкатегория:	Память
Производитель:	Micron Technology
ряд:	-
упаковка:	Tray
статус детали:	Obsolete
тип памяти:	Non-Volatile
формат памяти:	FLASH
технологии:	FLASH - NAND
объем памяти:	256Mb (32M x 8)
интерфейс памяти:	Parallel
тактовая частота:	-
время цикла записи - слово, страница:	50ns
время доступа:	50 ns
напряжение - питание:	1.7V ~ 1.95V
Рабочая Температура:	-40°C ~ 85°C (TA)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	55-TFBGA
пакет устройств поставщика:	55-VFBGA (8x10)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015