UPD48576218F1-E24-DW1-E2-A | Renesas Electronics America UPD48576218F1-E24-DW1-E2-A | UPD48576218F1-E24-DW1-E2-A Inventory, Best Pricing

UPD48576218F1-E24-DW1-E2-A

Увеличить

Только для справки

номер части	UPD48576218F1-E24-DW1-E2-A
LIXINC Part #	UPD48576218F1-E24-DW1-E2-A
Производитель	Renesas Electronics America
Категория	интегральные схемы › Память
Описание	IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	UPD48576218F1-E24-DW1-E2-A След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

UPD48576218F1-E24-DW1-E2-A Технические характеристики

номер части:	UPD48576218F1-E24-DW1-E2-A
Бренд:	Renesas Electronics America
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	интегральные схемы
Подкатегория:	Память
Производитель:	Renesas Electronics America
ряд:	-
упаковка:	Tray
статус детали:	Last Time Buy
тип памяти:	Volatile
формат памяти:	DRAM
технологии:	LLDRAM2
объем памяти:	576Mb (32M x 18)
интерфейс памяти:	HSTL
тактовая частота:	400 MHz
время цикла записи - слово, страница:	-
время доступа:	20 ns
напряжение - питание:	1.7V ~ 1.9V
Рабочая Температура:	0°C ~ 95°C (TC)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	144-TBGA
пакет устройств поставщика:	144-TFBGA (11x18.5)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015