IS61NVP51236-200B3I-TR | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) IS61NVP51236-200B3I-TR | IS61NVP51236-200B3I-TR Inventory, Best Pricing

IS61NVP51236-200B3I-TR

Увеличить

Только для справки

номер части	IS61NVP51236-200B3I-TR
LIXINC Part #	IS61NVP51236-200B3I-TR
Производитель	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Категория	интегральные схемы › Память
Описание	IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IS61NVP51236-200B3I-TR След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IS61NVP51236-200B3I-TR Технические характеристики

номер части:	IS61NVP51236-200B3I-TR
Бренд:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	интегральные схемы
Подкатегория:	Память
Производитель:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Obsolete
тип памяти:	Volatile
формат памяти:	SRAM
технологии:	SRAM - Synchronous, SDR
объем памяти:	18Mb (512K x 36)
интерфейс памяти:	Parallel
тактовая частота:	200 MHz
время цикла записи - слово, страница:	-
время доступа:	3.1 ns
напряжение - питание:	2.375V ~ 2.625V
Рабочая Температура:	-40°C ~ 85°C (TA)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	165-LFBGA
пакет устройств поставщика:	165-TFBGA (13x15)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015