MT41K512M8RH-125 V:E TR | Micron Technology MT41K512M8RH-125 V:E TR | MT41K512M8RH-125 V:E TR Inventory, Best Pricing

MT41K512M8RH-125 V:E TR

Увеличить

Только для справки

номер части	MT41K512M8RH-125 V:E TR
LIXINC Part #	MT41K512M8RH-125 V:E TR
Производитель	Micron Technology
Категория	интегральные схемы › Память
Описание	IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	MT41K512M8RH-125 V:E TR След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

MT41K512M8RH-125 V:E TR Технические характеристики

номер части:	MT41K512M8RH-125 V:E TR
Бренд:	Micron Technology
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	интегральные схемы
Подкатегория:	Память
Производитель:	Micron Technology
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Obsolete
тип памяти:	Volatile
формат памяти:	DRAM
технологии:	SDRAM - DDR3L
объем памяти:	4Gb (512M x 8)
интерфейс памяти:	Parallel
тактовая частота:	800 MHz
время цикла записи - слово, страница:	-
время доступа:	13.75 ns
напряжение - питание:	1.283V ~ 1.45V
Рабочая Температура:	0°C ~ 95°C (TC)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	78-TFBGA
пакет устройств поставщика:	78-FBGA (9x10.5)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015