S29GL512N10FFAR23 | Cypress Semiconductor S29GL512N10FFAR23 | S29GL512N10FFAR23 Inventory, Best Pricing

S29GL512N10FFAR23

Увеличить

Только для справки

номер части	S29GL512N10FFAR23
LIXINC Part #	S29GL512N10FFAR23
Производитель	Cypress Semiconductor
Категория	интегральные схемы › Память
Описание	IC FLASH MEMORY NOR PARALLEL
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	S29GL512N10FFAR23 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

S29GL512N10FFAR23 Технические характеристики

номер части:	S29GL512N10FFAR23
Бренд:	Cypress Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	интегральные схемы
Подкатегория:	Память
Производитель:	Cypress Semiconductor
ряд:	GL-N
упаковка:	Tray
статус детали:	Last Time Buy
тип памяти:	Non-Volatile
формат памяти:	FLASH
технологии:	FLASH - NOR
объем памяти:	512Mb (64M x 8, 32M x 16)
интерфейс памяти:	Parallel
тактовая частота:	-
время цикла записи - слово, страница:	100ns
время доступа:	100 ns
напряжение - питание:	3V ~ 3.6V
Рабочая Температура:	-40°C ~ 85°C (TA)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	64-LBGA
пакет устройств поставщика:	64-FBGA (13x11)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015