TH58BYG2S3HBAI6 | Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.) TH58BYG2S3HBAI6

TH58BYG2S3HBAI6

Увеличить

Только для справки

номер части	TH58BYG2S3HBAI6
LIXINC Part #	TH58BYG2S3HBAI6
Производитель	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Категория	интегральные схемы › Память
Описание	IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	TH58BYG2S3HBAI6 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

TH58BYG2S3HBAI6 Технические характеристики

номер части:	TH58BYG2S3HBAI6
Бренд:	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	интегральные схемы
Подкатегория:	Память
Производитель:	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
ряд:	Benand™
упаковка:	Tray
статус детали:	Active
тип памяти:	Non-Volatile
формат памяти:	FLASH
технологии:	FLASH - NAND (SLC)
объем памяти:	4Gb (512M x 8)
интерфейс памяти:	Parallel
тактовая частота:	-
время цикла записи - слово, страница:	25ns
время доступа:	25 ns
напряжение - питание:	1.7V ~ 1.95V
Рабочая Температура:	-40°C ~ 85°C (TA)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	67-VFBGA
пакет устройств поставщика:	67-VFBGA (6.5x8)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015