MT54V512H18EF-10 | Rochester Electronics MT54V512H18EF-10 | MT54V512H18EF-10 Inventory, Best Pricing

MT54V512H18EF-10

Увеличить

Только для справки

номер части	MT54V512H18EF-10
LIXINC Part #	MT54V512H18EF-10
Производитель	Rochester Electronics
Категория	интегральные схемы › Память
Описание	IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165FBGA
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	MT54V512H18EF-10 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

MT54V512H18EF-10 Технические характеристики

номер части:	MT54V512H18EF-10
Бренд:	Rochester Electronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	интегральные схемы
Подкатегория:	Память
Производитель:	Rochester Electronics
ряд:	QDR™
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип памяти:	Volatile
формат памяти:	SRAM
технологии:	SRAM - Quad Port, Synchronous
объем памяти:	9Mb (512K x 18)
интерфейс памяти:	Parallel
тактовая частота:	100 MHz
время цикла записи - слово, страница:	-
время доступа:	-
напряжение - питание:	2.4V ~ 2.6V
Рабочая Температура:	0°C ~ 70°C (TA)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	165-TBGA
пакет устройств поставщика:	165-FBGA (13x15)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$19.25000	$19.25

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015