CYD09S18V18-200BBXI | Rochester Electronics CYD09S18V18-200BBXI | CYD09S18V18-200BBXI Inventory, Best Pricing

CYD09S18V18-200BBXI

Увеличить

Только для справки

номер части	CYD09S18V18-200BBXI
LIXINC Part #	CYD09S18V18-200BBXI
Производитель	Rochester Electronics
Категория	интегральные схемы › Память
Описание	IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	CYD09S18V18-200BBXI След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

CYD09S18V18-200BBXI Технические характеристики

номер части:	CYD09S18V18-200BBXI
Бренд:	Rochester Electronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	интегральные схемы
Подкатегория:	Память
Производитель:	Rochester Electronics
ряд:	-
упаковка:	Tray
статус детали:	Obsolete
тип памяти:	Volatile
формат памяти:	SRAM
технологии:	SRAM - Dual Port, Synchronous
объем памяти:	9Mb (512K x 18)
интерфейс памяти:	Parallel
тактовая частота:	200 MHz
время цикла записи - слово, страница:	-
время доступа:	3.3 ns
напряжение - питание:	1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
Рабочая Температура:	-40°C ~ 85°C (TA)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	256-LBGA
пакет устройств поставщика:	256-FBGA (17x17)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$159.99000	$159.99

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015