HYB25D512800CE-6 | HYB25D512800CE-6 | HYB25D512800CE-6 Inventory, Best Pricing

HYB25D512800CE-6

Увеличить

Только для справки

номер части	HYB25D512800CE-6
LIXINC Part #	HYB25D512800CE-6
Производитель
Категория	интегральные схемы › Память
Описание	IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	HYB25D512800CE-6 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

HYB25D512800CE-6 Технические характеристики

номер части:	HYB25D512800CE-6
Бренд:
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	интегральные схемы
Подкатегория:	Память
Производитель:
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Discontinued at Digi-Key
тип памяти:	Volatile
формат памяти:	DRAM
технологии:	SDRAM - DDR
объем памяти:	512Mb (64M x 8)
интерфейс памяти:	Parallel
тактовая частота:	166 MHz
время цикла записи - слово, страница:	-
время доступа:	-
напряжение - питание:	2.3V ~ 2.7V
Рабочая Температура:	0°C ~ 70°C (TA)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
пакет устройств поставщика:	66-TSOP II

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$7.14000	$7.14

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015