NV25512MUW3VTBG | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NV25512MUW3VTBG

NV25512MUW3VTBG

Увеличить

Только для справки

номер части	NV25512MUW3VTBG
LIXINC Part #	NV25512MUW3VTBG
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	интегральные схемы › Память
Описание	IC EEPROM 512KBIT SPI 8UDFN
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	NV25512MUW3VTBG След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

NV25512MUW3VTBG Технические характеристики

номер части:	NV25512MUW3VTBG
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	интегральные схемы
Подкатегория:	Память
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	Automotive, AEC-Q100
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Active
тип памяти:	Non-Volatile
формат памяти:	EEPROM
технологии:	EEPROM
объем памяти:	512Kb (64K x 8)
интерфейс памяти:	SPI
тактовая частота:	10 MHz
время цикла записи - слово, страница:	5ms
время доступа:	45 ns
напряжение - питание:	1.8V ~ 5.5V
Рабочая Температура:	-40°C ~ 125°C (TA)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	8-UFDFN Exposed Pad
пакет устройств поставщика:	8-UDFN (2x3)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$2.09778	$2.09778

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015