CY14B116M-BZ45XI | Rochester Electronics CY14B116M-BZ45XI | CY14B116M-BZ45XI Inventory, Best Pricing

CY14B116M-BZ45XI

Увеличить

Только для справки

номер части	CY14B116M-BZ45XI
LIXINC Part #	CY14B116M-BZ45XI
Производитель	Rochester Electronics
Категория	интегральные схемы › Память
Описание	NON-VOLATILE SRAM, 1MX16, 45NS P
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	CY14B116M-BZ45XI След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

CY14B116M-BZ45XI Технические характеристики

номер части:	CY14B116M-BZ45XI
Бренд:	Rochester Electronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	интегральные схемы
Подкатегория:	Память
Производитель:	Rochester Electronics
ряд:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип памяти:	Non-Volatile
формат памяти:	NVSRAM
технологии:	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
объем памяти:	16Mb (1M x 16)
интерфейс памяти:	Parallel
тактовая частота:	-
время цикла записи - слово, страница:	45ns
время доступа:	45 ns
напряжение - питание:	2.7V ~ 3.6V
Рабочая Температура:	-40°C ~ 85°C (TA)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	165-LBGA
пакет устройств поставщика:	165-FBGA (15x17)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015