CY7S1041GE30-10BVXI | Cypress Semiconductor CY7S1041GE30-10BVXI | CY7S1041GE30-10BVXI Inventory, Best Pricing

CY7S1041GE30-10BVXI

Увеличить

Только для справки

номер части	CY7S1041GE30-10BVXI
LIXINC Part #	CY7S1041GE30-10BVXI
Производитель	Cypress Semiconductor
Категория	интегральные схемы › Память
Описание	NO WARRANTY
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	CY7S1041GE30-10BVXI След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

CY7S1041GE30-10BVXI Технические характеристики

номер части:	CY7S1041GE30-10BVXI
Бренд:	Cypress Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	интегральные схемы
Подкатегория:	Память
Производитель:	Cypress Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tray
статус детали:	Active
тип памяти:	Volatile
формат памяти:	SRAM
технологии:	SRAM - Asynchronous
объем памяти:	4Mb (256K x 16)
интерфейс памяти:	Parallel
тактовая частота:	-
время цикла записи - слово, страница:	10ns
время доступа:	10 ns
напряжение - питание:	2.2V ~ 3.6V
Рабочая Температура:	-40°C ~ 85°C (TA)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	48-VFBGA
пакет устройств поставщика:	48-VFBGA (6x8)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015