SIGC18T60UNX1SA2 | IR (Infineon Technologies) SIGC18T60UNX1SA2 | SIGC18T60UNX1SA2 Inventory, Best Pricing

SIGC18T60UNX1SA2

Увеличить

Только для справки

номер части	SIGC18T60UNX1SA2
LIXINC Part #	SIGC18T60UNX1SA2
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	IGBT 3 CHIP 600V WAFER
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	SIGC18T60UNX1SA2 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

SIGC18T60UNX1SA2 Технические характеристики

номер части:	SIGC18T60UNX1SA2
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Obsolete
тип IGBT:	NPT
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	600 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	20 A
ток - коллектор импульсный (icm):	60 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	3.15V @ 15V, 20A
мощность - макс.:	-
переключение энергии:	-
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	-
td (вкл./выкл.) при 25°C:	15ns/65ns
условия испытаний:	400V, 20A, 2.2Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	-
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	Die
пакет устройств поставщика:	Die

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015