NGTD30T120F2WP | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NGTD30T120F2WP

NGTD30T120F2WP

Увеличить

Только для справки

номер части	NGTD30T120F2WP
LIXINC Part #	NGTD30T120F2WP
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	NGTD30T120F2WP След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

NGTD30T120F2WP Технические характеристики

номер части:	NGTD30T120F2WP
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип IGBT:	Trench Field Stop
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1200 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	-
ток - коллектор импульсный (icm):	200 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.4V @ 15V, 40A
мощность - макс.:	-
переключение энергии:	-
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	-
td (вкл./выкл.) при 25°C:	-
условия испытаний:	-
время обратного восстановления (trr):	-
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	Die
пакет устройств поставщика:	Die

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015