SIGC08T60EX1SA1 | IR (Infineon Technologies) SIGC08T60EX1SA1 | SIGC08T60EX1SA1 Inventory, Best Pricing

SIGC08T60EX1SA1

Увеличить

Только для справки

номер части	SIGC08T60EX1SA1
LIXINC Part #	SIGC08T60EX1SA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	IGBT CHIP
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	SIGC08T60EX1SA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

SIGC08T60EX1SA1 Технические характеристики

номер части:	SIGC08T60EX1SA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	TrenchStop™
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип IGBT:	Trench Field Stop
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	600 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	15 A
ток - коллектор импульсный (icm):	45 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	1.9V @ 15V, 15A
мощность - макс.:	-
переключение энергии:	-
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	-
td (вкл./выкл.) при 25°C:	-
условия испытаний:	-
время обратного восстановления (trr):	-
Рабочая Температура:	-40°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	Die
пакет устройств поставщика:	Die

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015