RJH60M2DPP-M0#T2 | Renesas Electronics America RJH60M2DPP-M0#T2 | RJH60M2DPP-M0#T2 Inventory, Best Pricing

RJH60M2DPP-M0#T2

Увеличить

Только для справки

номер части	RJH60M2DPP-M0#T2
LIXINC Part #	RJH60M2DPP-M0#T2
Производитель	Renesas Electronics America
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	IGBT 600V 25A 33.8W TO-220FL
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	RJH60M2DPP-M0#T2 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

RJH60M2DPP-M0#T2 Технические характеристики

номер части:	RJH60M2DPP-M0#T2
Бренд:	Renesas Electronics America
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	Renesas Electronics America
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип IGBT:	Trench
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	600 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	25 A
ток - коллектор импульсный (icm):	-
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.5V @ 15V, 12A
мощность - макс.:	33.8 W
переключение энергии:	180µJ (on), 180µJ (off)
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	33 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	32ns/70ns
условия испытаний:	300V, 12A, 5Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	85 ns
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-220-3 Full Pack
пакет устройств поставщика:	TO-220FL

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015