FGA25N120ANDTU | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FGA25N120ANDTU

FGA25N120ANDTU

Увеличить

Только для справки

номер части	FGA25N120ANDTU
LIXINC Part #	FGA25N120ANDTU
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	IGBT 1200V 40A 310W TO3P
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	FGA25N120ANDTU След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

FGA25N120ANDTU Технические характеристики

номер части:	FGA25N120ANDTU
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Obsolete
тип IGBT:	NPT
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1200 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	40 A
ток - коллектор импульсный (icm):	75 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	3.2V @ 15V, 25A
мощность - макс.:	310 W
переключение энергии:	4.8mJ (on), 1mJ (off)
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	200 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	60ns/170ns
условия испытаний:	600V, 25A, 10Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	350 ns
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-3P-3, SC-65-3
пакет устройств поставщика:	TO-3P

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015