SGF23N60UFDM1TU | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor SGF23N60UFDM1TU

SGF23N60UFDM1TU

Увеличить

Только для справки

номер части	SGF23N60UFDM1TU
LIXINC Part #	SGF23N60UFDM1TU
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	IGBT 600V 23A 75W TO3PF
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	SGF23N60UFDM1TU След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

SGF23N60UFDM1TU Технические характеристики

номер части:	SGF23N60UFDM1TU
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Obsolete
тип IGBT:	-
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	600 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	23 A
ток - коллектор импульсный (icm):	92 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.6V @ 15V, 12A
мощность - макс.:	75 W
переключение энергии:	115µJ (on), 135µJ (off)
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	49 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	17ns/60ns
условия испытаний:	300V, 12A, 23Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	60 ns
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-3P-3 Full Pack
пакет устройств поставщика:	TO-3PF

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015