IRGB5B120KDPBF | IR (Infineon Technologies) IRGB5B120KDPBF | IRGB5B120KDPBF Inventory, Best Pricing

IRGB5B120KDPBF

Увеличить

Только для справки

номер части	IRGB5B120KDPBF
LIXINC Part #	IRGB5B120KDPBF
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	IGBT 1200V 12A 89W TO220AB
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IRGB5B120KDPBF След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IRGB5B120KDPBF Технические характеристики

номер части:	IRGB5B120KDPBF
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Obsolete
тип IGBT:	NPT
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1200 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	12 A
ток - коллектор импульсный (icm):	24 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	3V @ 15V, 6A
мощность - макс.:	89 W
переключение энергии:	390µJ (on), 330µJ (off)
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	25 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	22ns/100ns
условия испытаний:	600V, 6A, 50Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	160 ns
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-220-3
пакет устройств поставщика:	TO-220AB

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015