APT75GN60B2DQ3G | Microsemi APT75GN60B2DQ3G | APT75GN60B2DQ3G Inventory, Best Pricing

APT75GN60B2DQ3G

Увеличить

Только для справки

номер части	APT75GN60B2DQ3G
LIXINC Part #	APT75GN60B2DQ3G
Производитель	Microsemi
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	IGBT 600V 155A 536W TO264
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	APT75GN60B2DQ3G След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

APT75GN60B2DQ3G Технические характеристики

номер части:	APT75GN60B2DQ3G
Бренд:	Microsemi
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	Microsemi
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Obsolete
тип IGBT:	-
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	600 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	155 A
ток - коллектор импульсный (icm):	225 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	1.85V @ 15V, 75A
мощность - макс.:	536 W
переключение энергии:	2500µJ (on), 2140µJ (off)
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	485 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	47ns/385ns
условия испытаний:	400V, 75A, 1Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	-
Рабочая Температура:	-
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-264-3, TO-264AA
пакет устройств поставщика:	-

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015