IRG8B08N120KDPBF | IR (Infineon Technologies) IRG8B08N120KDPBF | IRG8B08N120KDPBF Inventory, Best Pricing

IRG8B08N120KDPBF

Увеличить

Только для справки

номер части	IRG8B08N120KDPBF
LIXINC Part #	IRG8B08N120KDPBF
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	DIODE 1200V 8A TO-220
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IRG8B08N120KDPBF След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IRG8B08N120KDPBF Технические характеристики

номер части:	IRG8B08N120KDPBF
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Obsolete
тип IGBT:	-
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1200 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	15 A
ток - коллектор импульсный (icm):	15 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2V @ 15V, 5A
мощность - макс.:	89 W
переключение энергии:	300µJ (on), 300µJ (off)
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	45 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	20ns/160ns
условия испытаний:	600V, 5A, 47Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	50 ns
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-220-3
пакет устройств поставщика:	TO-220AB

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015