FGA70N33BTDTU | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FGA70N33BTDTU

FGA70N33BTDTU

Увеличить

Только для справки

номер части	FGA70N33BTDTU
LIXINC Part #	FGA70N33BTDTU
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	IGBT 330V 149W TO3P
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	FGA70N33BTDTU След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

FGA70N33BTDTU Технические характеристики

номер части:	FGA70N33BTDTU
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Obsolete
тип IGBT:	Trench
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	330 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	-
ток - коллектор импульсный (icm):	220 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	1.7V @ 15V, 70A
мощность - макс.:	149 W
переключение энергии:	-
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	49 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	-
условия испытаний:	-
время обратного восстановления (trr):	23 ns
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-3P-3, SC-65-3
пакет устройств поставщика:	TO-3P

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015