RJH65D27BDPQ-A0#T2 | Renesas Electronics America RJH65D27BDPQ-A0#T2 | RJH65D27BDPQ-A0#T2 Inventory, Best Pricing

RJH65D27BDPQ-A0#T2

Увеличить

Только для справки

номер части	RJH65D27BDPQ-A0#T2
LIXINC Part #	RJH65D27BDPQ-A0#T2
Производитель	Renesas Electronics America
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	IGBT TRENCH 650V 100A TO247A
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	RJH65D27BDPQ-A0#T2 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

RJH65D27BDPQ-A0#T2 Технические характеристики

номер части:	RJH65D27BDPQ-A0#T2
Бренд:	Renesas Electronics America
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	Renesas Electronics America
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип IGBT:	Trench
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	650 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	100 A
ток - коллектор импульсный (icm):	-
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	1.65V @ 15V, 50A
мощность - макс.:	375 W
переключение энергии:	1mJ (on), 1.5mJ (off)
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	175 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	20ns/165ns
условия испытаний:	400V, 50A, 10Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	80 ns
Рабочая Температура:	175°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-247-3
пакет устройств поставщика:	TO-247A

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015