HGT1S20N35G3VLS | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor HGT1S20N35G3VLS

HGT1S20N35G3VLS

Увеличить

Только для справки

номер части	HGT1S20N35G3VLS
LIXINC Part #	HGT1S20N35G3VLS
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	IGBT 380V 20A 150W TO263AB
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	HGT1S20N35G3VLS След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

HGT1S20N35G3VLS Технические характеристики

номер части:	HGT1S20N35G3VLS
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Obsolete
тип IGBT:	-
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	375 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	20 A
ток - коллектор импульсный (icm):	-
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.8V @ 5V, 20A
мощность - макс.:	150 W
переключение энергии:	-
тип ввода:	Logic
заряд ворот:	28.7 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	-/15µs
условия испытаний:	300V, 10A, 25Ohm, 5V
время обратного восстановления (trr):	-
Рабочая Температура:	-40°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
пакет устройств поставщика:	TO-263AB

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015