RJP60F0DPE-00#J3 | Renesas Electronics America RJP60F0DPE-00#J3 | RJP60F0DPE-00#J3 Inventory, Best Pricing

RJP60F0DPE-00#J3

Увеличить

Только для справки

номер части	RJP60F0DPE-00#J3
LIXINC Part #	RJP60F0DPE-00#J3
Производитель	Renesas Electronics America
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	IGBT 600V 50A 122W LDPAK
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	RJP60F0DPE-00#J3 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

RJP60F0DPE-00#J3 Технические характеристики

номер части:	RJP60F0DPE-00#J3
Бренд:	Renesas Electronics America
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	Renesas Electronics America
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Obsolete
тип IGBT:	Trench
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	600 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	50 A
ток - коллектор импульсный (icm):	-
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	1.82V @ 15V, 25A
мощность - макс.:	122 W
переключение энергии:	-
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	-
td (вкл./выкл.) при 25°C:	46ns/70ns
условия испытаний:	400V, 30A, 5Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	-
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	SC-83
пакет устройств поставщика:	4-LDPAK

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015