IRG4BH20K-S | IR (Infineon Technologies) IRG4BH20K-S | IRG4BH20K-S Inventory, Best Pricing

IRG4BH20K-S

Увеличить

Только для справки

номер части	IRG4BH20K-S
LIXINC Part #	IRG4BH20K-S
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	IGBT 1200V 11A 60W D2PAK
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IRG4BH20K-S След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IRG4BH20K-S Технические характеристики

номер части:	IRG4BH20K-S
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Obsolete
тип IGBT:	-
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1200 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	11 A
ток - коллектор импульсный (icm):	22 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	4.3V @ 15V, 5A
мощность - макс.:	60 W
переключение энергии:	450µJ (on), 440µJ (off)
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	28 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	23ns/93ns
условия испытаний:	960V, 5A, 50Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	-
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
пакет устройств поставщика:	D2PAK

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015