STGD7NB120S-1 | STMicroelectronics STGD7NB120S-1 | STGD7NB120S-1 Inventory, Best Pricing

STGD7NB120S-1

Увеличить

Только для справки

номер части	STGD7NB120S-1
LIXINC Part #	STGD7NB120S-1
Производитель	STMicroelectronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	IGBT 1200V 10A 55W IPAK
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	STGD7NB120S-1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

STGD7NB120S-1 Технические характеристики

номер части:	STGD7NB120S-1
Бренд:	STMicroelectronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	STMicroelectronics
ряд:	PowerMESH™
упаковка:	Tube
статус детали:	Obsolete
тип IGBT:	-
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1200 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	10 A
ток - коллектор импульсный (icm):	20 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 7A
мощность - макс.:	55 W
переключение энергии:	15mJ (off)
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	29 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	570ns/-
условия испытаний:	960V, 7A, 1kOhm, 15V
время обратного восстановления (trr):	-
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
пакет устройств поставщика:	I-PAK

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015