APT11GP60BDQBG | Microsemi APT11GP60BDQBG | APT11GP60BDQBG Inventory, Best Pricing

APT11GP60BDQBG

Увеличить

Только для справки

номер части	APT11GP60BDQBG
LIXINC Part #	APT11GP60BDQBG
Производитель	Microsemi
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	IGBT 600V 41A 187W TO247
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	APT11GP60BDQBG След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

APT11GP60BDQBG Технические характеристики

номер части:	APT11GP60BDQBG
Бренд:	Microsemi
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	Microsemi
ряд:	POWER MOS 7®
упаковка:	Tube
статус детали:	Obsolete
тип IGBT:	PT
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	600 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	41 A
ток - коллектор импульсный (icm):	45 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.7V @ 15V, 11A
мощность - макс.:	187 W
переключение энергии:	46µJ (on), 90µJ (off)
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	40 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	7ns/29ns
условия испытаний:	400V, 11A, 5Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	-
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-247-3
пакет устройств поставщика:	TO-247-3

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015