FGD3N60UNDF | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FGD3N60UNDF

FGD3N60UNDF

Увеличить

Только для справки

номер части	FGD3N60UNDF
LIXINC Part #	FGD3N60UNDF
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	IGBT 600V 6A 60W DPAK
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	FGD3N60UNDF След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

FGD3N60UNDF Технические характеристики

номер части:	FGD3N60UNDF
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип IGBT:	NPT
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	600 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	6 A
ток - коллектор импульсный (icm):	9 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.52V @ 15V, 3A
мощность - макс.:	60 W
переключение энергии:	52µJ (on), 30µJ (off)
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	1.6 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	5.5ns/22ns
условия испытаний:	400V, 3A, 10Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	21 ns
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
пакет устройств поставщика:	TO-252, (D-Pak)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015