FGD5T120SH | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FGD5T120SH

FGD5T120SH

Увеличить

Только для справки

номер части	FGD5T120SH
LIXINC Part #	FGD5T120SH
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	IGBT 1200V 5A FS3 DPAK
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	FGD5T120SH След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

FGD5T120SH Технические характеристики

номер части:	FGD5T120SH
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип IGBT:	Trench Field Stop
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1200 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	10 A
ток - коллектор импульсный (icm):	12.5 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	3.6V @ 15V, 5A
мощность - макс.:	69 W
переключение энергии:	247µJ (on), 94µJ (off)
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	6.7 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	4.8ns/24.8ns
условия испытаний:	600V, 5A, 30Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	-
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
пакет устройств поставщика:	DPAK

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015