NGTB15N60S1EG | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NGTB15N60S1EG

NGTB15N60S1EG

Увеличить

Только для справки

номер части	NGTB15N60S1EG
LIXINC Part #	NGTB15N60S1EG
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	IGBT 600V 30A 117W TO220-3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	NGTB15N60S1EG След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

NGTB15N60S1EG Технические характеристики

номер части:	NGTB15N60S1EG
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип IGBT:	NPT
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	600 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	30 A
ток - коллектор импульсный (icm):	120 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	1.7V @ 15V, 15A
мощность - макс.:	117 W
переключение энергии:	550µJ (on), 350µJ (off)
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	88 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	65ns/170ns
условия испытаний:	400V, 15A, 22Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	270 ns
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-220-3
пакет устройств поставщика:	TO-220

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015