IKZ50N65EH5XKSA1 | IR (Infineon Technologies) IKZ50N65EH5XKSA1 | IKZ50N65EH5XKSA1 Inventory, Best Pricing

IKZ50N65EH5XKSA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IKZ50N65EH5XKSA1
LIXINC Part #	IKZ50N65EH5XKSA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	IGBT 650V 50A CO-PACK TO-247-4
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IKZ50N65EH5XKSA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IKZ50N65EH5XKSA1 Технические характеристики

номер части:	IKZ50N65EH5XKSA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	TrenchStop™ 5
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип IGBT:	Trench
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	650 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	85 A
ток - коллектор импульсный (icm):	200 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 50A
мощность - макс.:	273 W
переключение энергии:	410µJ (on), 190µJ (off)
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	109 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	20ns/250ns
условия испытаний:	400V, 25A, 12Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	53 ns
Рабочая Температура:	-40°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-247-4
пакет устройств поставщика:	PG-TO247-4

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015