IRG7PH35UD1PBF | Rochester Electronics IRG7PH35UD1PBF | IRG7PH35UD1PBF Inventory, Best Pricing

IRG7PH35UD1PBF

Увеличить

Только для справки

номер части	IRG7PH35UD1PBF
LIXINC Part #	IRG7PH35UD1PBF
Производитель	Rochester Electronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	IGBT W/ULTRA-LOW VF DIODE FOR IN
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IRG7PH35UD1PBF След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IRG7PH35UD1PBF Технические характеристики

номер части:	IRG7PH35UD1PBF
Бренд:	Rochester Electronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	Rochester Electronics
ряд:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип IGBT:	Trench
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1200 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	50 A
ток - коллектор импульсный (icm):	150 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.2V @ 15V, 20A
мощность - макс.:	179 W
переключение энергии:	620µJ (off)
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	130 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	-/160ns
условия испытаний:	600V, 20A, 10Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	-
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-247-3
пакет устройств поставщика:	TO-247AC

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$2.68000	$2.68

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015