SGB07N120ATMA1 | IR (Infineon Technologies) SGB07N120ATMA1 | SGB07N120ATMA1 Inventory, Best Pricing

SGB07N120ATMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	SGB07N120ATMA1
LIXINC Part #	SGB07N120ATMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	IGBT 1200V 16.5A 125W TO263-3-2
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	SGB07N120ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

SGB07N120ATMA1 Технические характеристики

номер части:	SGB07N120ATMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Last Time Buy
тип IGBT:	NPT
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1200 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	16.5 A
ток - коллектор импульсный (icm):	27 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	3.6V @ 15V, 8A
мощность - макс.:	125 W
переключение энергии:	1mJ
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	70 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	27ns/440ns
условия испытаний:	800V, 8A, 47Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	-
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
пакет устройств поставщика:	PG-TO263-3-2

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$2.27220	$2.2722
1000	$2.21641	$2216.41

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015