IGW25N120H3FKSA1 | IR (Infineon Technologies) IGW25N120H3FKSA1 | IGW25N120H3FKSA1 Inventory, Best Pricing

IGW25N120H3FKSA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IGW25N120H3FKSA1
LIXINC Part #	IGW25N120H3FKSA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	IGBT 1200V 50A 326W TO247-3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IGW25N120H3FKSA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IGW25N120H3FKSA1 Технические характеристики

номер части:	IGW25N120H3FKSA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	TrenchStop®
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип IGBT:	Trench Field Stop
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1200 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	50 A
ток - коллектор импульсный (icm):	100 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.4V @ 15V, 25A
мощность - макс.:	326 W
переключение энергии:	2.65mJ
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	115 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	27ns/277ns
условия испытаний:	600V, 25A, 23Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	-
Рабочая Температура:	-40°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-247-3
пакет устройств поставщика:	PG-TO247-3

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015