IGB03N120H2ATMA1 | IR (Infineon Technologies) IGB03N120H2ATMA1 | IGB03N120H2ATMA1 Inventory, Best Pricing

IGB03N120H2ATMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IGB03N120H2ATMA1
LIXINC Part #	IGB03N120H2ATMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IGB03N120H2ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IGB03N120H2ATMA1 Технические характеристики

номер части:	IGB03N120H2ATMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Last Time Buy
тип IGBT:	-
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1200 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	9.6 A
ток - коллектор импульсный (icm):	9.9 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.8V @ 15V, 3A
мощность - макс.:	62.5 W
переключение энергии:	290µJ
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	22 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	9.2ns/281ns
условия испытаний:	800V, 3A, 82Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	-
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
пакет устройств поставщика:	PG-TO263-3-2

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$1.11090	$1.1109
1000	$1.09827	$1098.27

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015