VS-GT100TP60N | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-GT100TP60N

VS-GT100TP60N

Увеличить

Только для справки

номер части	VS-GT100TP60N
LIXINC Part #	VS-GT100TP60N
Производитель	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - IGBT - модули
Описание	IGBT MOD 600V 160A INT-A-PAK
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	VS-GT100TP60N След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

VS-GT100TP60N Технические характеристики

номер части:	VS-GT100TP60N
Бренд:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - IGBT - модули
Производитель:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
ряд:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип IGBT:	Trench
конфигурация:	Half Bridge
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	600 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	160 A
мощность - макс.:	417 W
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 100A
ток - отсечка коллектора (макс.):	5 mA
входная емкость (cis) @ vce:	7.71 nF @ 30 V
вход:	Standard
нтк термистор:	No
Рабочая Температура:	175°C (TJ)
тип крепления:	Chassis Mount
упаковка / чехол:	INT-A-PAK (3 + 4)
пакет устройств поставщика:	INT-A-PAK

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$185.57667	$185.57667
24	$185.57667	$4453.84008

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015