FF150R12ME3G | Rochester Electronics FF150R12ME3G | FF150R12ME3G Inventory, Best Pricing

FF150R12ME3G

Увеличить

Только для справки

номер части	FF150R12ME3G
LIXINC Part #	FF150R12ME3G
Производитель	Rochester Electronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - IGBT - модули
Описание	IGBT MODULE
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	FF150R12ME3G След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

FF150R12ME3G Технические характеристики

номер части:	FF150R12ME3G
Бренд:	Rochester Electronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - IGBT - модули
Производитель:	Rochester Electronics
ряд:	EconoDUAL™
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип IGBT:	Trench Field Stop
конфигурация:	2 Independent
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1200 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	200 A
мощность - макс.:	695 W
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.15V @ 15V, 150A
ток - отсечка коллектора (макс.):	5 mA
входная емкость (cis) @ vce:	10.5 nF @ 25 V
вход:	Standard
нтк термистор:	Yes
Рабочая Температура:	-40°C ~ 125°C (TJ)
тип крепления:	Chassis Mount
упаковка / чехол:	Module
пакет устройств поставщика:	AG-ECONOD-3

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$83.80000	$83.8

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015