NXH35C120L2C2S1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NXH35C120L2C2S1G

NXH35C120L2C2S1G

Увеличить

Только для справки

номер части	NXH35C120L2C2S1G
LIXINC Part #	NXH35C120L2C2S1G
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - IGBT - модули
Описание	IGBT MOD 1200V 35A 26DIP
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	NXH35C120L2C2S1G След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

NXH35C120L2C2S1G Технические характеристики

номер части:	NXH35C120L2C2S1G
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - IGBT - модули
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип IGBT:	-
конфигурация:	Three Phase Inverter with Brake
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1200 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	35 A
мощность - макс.:	20 mW
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.4V @ 15V, 35A
ток - отсечка коллектора (макс.):	250 µA
входная емкость (cis) @ vce:	8.33 nF @ 20 V
вход:	Three Phase Bridge Rectifier
нтк термистор:	Yes
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
пакет устройств поставщика:	26-DIP

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$44.22000	$44.22

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015