DF80R12W2H3FB11BPSA1 | IR (Infineon Technologies) DF80R12W2H3FB11BPSA1 | DF80R12W2H3FB11BPSA1 Inventory, Best Pricing

DF80R12W2H3FB11BPSA1

Увеличить

Только для справки

номер части	DF80R12W2H3FB11BPSA1
LIXINC Part #	DF80R12W2H3FB11BPSA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - IGBT - модули
Описание	IGBT MOD 1200V 20A 20MW
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	DF80R12W2H3FB11BPSA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

DF80R12W2H3FB11BPSA1 Технические характеристики

номер части:	DF80R12W2H3FB11BPSA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - IGBT - модули
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	EconoPACK™2
упаковка:	Tray
статус детали:	Active
тип IGBT:	Trench Field Stop
конфигурация:	Half Bridge
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1200 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	20 A
мощность - макс.:	20 mW
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	1.7V @ 15V, 20A
ток - отсечка коллектора (макс.):	1 mA
входная емкость (cis) @ vce:	2.35 nF @ 25 V
вход:	Standard
нтк термистор:	Yes
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Chassis Mount
упаковка / чехол:	Module
пакет устройств поставщика:	Module

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$73.86000	$73.86
15	$73.86000	$1107.9

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015