VS-GT80DA120U | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-GT80DA120U

VS-GT80DA120U

Увеличить

Только для справки

номер части	VS-GT80DA120U
LIXINC Part #	VS-GT80DA120U
Производитель	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - IGBT - модули
Описание	IGBT MOD 1200V 139A 658W SOT227
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	VS-GT80DA120U След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jun 03 - Jun 07 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

VS-GT80DA120U Технические характеристики

номер части:	VS-GT80DA120U
Бренд:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - IGBT - модули
Производитель:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
ряд:	HEXFRED®
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип IGBT:	Trench
конфигурация:	Single
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1200 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	139 A
мощность - макс.:	658 W
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.55V @ 15V, 80A
ток - отсечка коллектора (макс.):	100 µA
входная емкость (cis) @ vce:	4.4 nF @ 25 V
вход:	Standard
нтк термистор:	No
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Chassis Mount
упаковка / чехол:	SOT-227-4, miniBLOC
пакет устройств поставщика:	SOT-227

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015