TPCC8065-H,LQ(S | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TPCC8065-H,LQ(S

TPCC8065-H,LQ(S

Увеличить

Только для справки

номер части	TPCC8065-H,LQ(S
LIXINC Part #	TPCC8065-H,LQ(S
Производитель	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	TPCC8065-H,LQ(S След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

TPCC8065-H,LQ(S Технические характеристики

номер части:	TPCC8065-H,LQ(S
Бренд:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ряд:	U-MOSVII-H
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Last Time Buy
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	13A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	11.4mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.3V @ 200µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	20 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1350 pF @ 10 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	700mW (Ta), 18W (Tc)
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	8-TSON Advance (3.3x3.3)
упаковка / чехол:	8-PowerVDFN

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015