IPC60R099C6UNSAWNX6SA1 | IR (Infineon Technologies) IPC60R099C6UNSAWNX6SA1 | IPC60R099C6UNSAWNX6SA1 Inventory, Best Pricing

IPC60R099C6UNSAWNX6SA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IPC60R099C6UNSAWNX6SA1
LIXINC Part #	IPC60R099C6UNSAWNX6SA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH BARE DIE
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPC60R099C6UNSAWNX6SA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPC60R099C6UNSAWNX6SA1 Технические характеристики

номер части:	IPC60R099C6UNSAWNX6SA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Obsolete
тип фета:	-
технологии:	-
напряжение сток-исток (vdss):	-
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	-
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	-
rds on (max) @ id, vgs:	-
vgs(th) (макс.) @ id:	-
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	-
ВГС (макс.):	-
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	-
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	-
Рабочая Температура:	-
тип крепления:	-
пакет устройств поставщика:	-
упаковка / чехол:	-

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015